- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
STPSC8H065CT.pdfPCN Obsolescence / EOL
EOL ADG-23-13935 17/Feb/2023.pdfConception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf IPD/15/9230 11/May/2015.pdfAssemblage / origine PCN
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $1.667 | $1.67 |
Spécifications techniques STPSC8H065CT
STMicroelectronics - STPSC8H065CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STPSC8H065CT
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.75 V @ 4 A | |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 650 V | |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Package composant fournisseur | TO-220 | |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Séries | - | |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0 ns |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Package / Boîte | TO-220-3 | |
| Emballer | Tube | |
| Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 175°C | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Configuration diode | 1 Pair Common Cathode | |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 40 µA @ 650 V | |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 4A | |
| Numéro de produit de base | STPSC8 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STPSC8H065CT
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STPSC8H065CT | STPSC8TH13TI | STPSC8H065FP | STPSC8H065D |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0 ns | 0 ns | - | 0 ns |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 4A | 8A | - | - |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 650 V | 650 V | - | 650 V |
| Package / Boîte | TO-220-3 | TO-220-3 | - | TO-220-2 |
| Configuration diode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Series Connection | - | - |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.75 V @ 4 A | 1.75 V @ 8 A | - | 1.75 V @ 8 A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | - | -40°C ~ 175°C |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 40 µA @ 650 V | 80 µA @ 650 V | - | 80 µA @ 650 V |
| Séries | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | STPSC8 | STPSC8 | - | STPSC8 |
| Package composant fournisseur | TO-220 | TO-220AB Insulated | - | TO-220AC |
| Emballer | Tube | Tube | - | Tube |
Téléchargez STPSC8H065CT PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STPSC8H065CT - STMicroelectronics.
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STPSC8065DYSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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