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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIB5N65A
IRFIB5N65A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIB5N65A - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFIB5N65A
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIB5N65A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A.pdf
En stock: 4100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIB5N65A
Vishay Siliconix - IRFIB5N65A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFIB5N65A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930mOhm @ 3.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1417 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFIB5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFIB5N65A

Attributs du produit IRFIB5N65A IRFI9Z34G IRFIB41N15DPBF IRFIB8N50KPBF
Modèle de produit IRFIB5N65A IRFI9Z34G IRFIB41N15DPBF IRFIB8N50KPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1417 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 2520 pF @ 25 V 2160 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Séries - - HEXFET® -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930mOhm @ 3.1A, 10V 140mOhm @ 7.2A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 350mOhm @ 4A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 60 V 150 V 500 V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 42W (Tc) 48W (Tc) 45W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Tc) 12A (Tc) 41A (Tc) 6.7A (Tc)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRFIB5 IRFI9 - IRFIB8
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3

Fiche technique IRFIB5N65A PDF

Téléchargez IRFIB5N65A PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFIB5N65A - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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