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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF530STRRPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF530STRRPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF530STRRPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF530STRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF530S, SiHF530S.pdf
État RoHS
En stock: 31841

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF530STRRPBF
Vishay Siliconix - IRF530STRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF530STRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF530  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF530STRRPBF

Attributs du produit IRF530STRRPBF IRF530NSTRRPBF IRF530S IRF540
Modèle de produit IRF530STRRPBF IRF530NSTRRPBF IRF530S IRF540
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V 90mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 77mOhm @ 17A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 17A (Tc) 14A (Tc) 28A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 150W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries - HEXFET® - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRF530 - IRF530 IRF540

Fiche technique IRF530STRRPBF PDF

Téléchargez IRF530STRRPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF530STRRPBF - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRF530S, SiHF530S.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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