- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
BAV70.pdfSpécifications techniques BAV70-HE3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BAV70-HE3-18 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BAV70-HE3-18
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.25 V @ 150 mA | |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 70 V | |
| La technologie | Standard | |
| Package composant fournisseur | SOT-23-3 | |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, BAV70 | |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 6 ns |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | |
| Température d'utilisation - Jonction | 150°C (Max) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Configuration diode | 1 Pair Common Cathode | |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 2.5 µA @ 70 V | |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 250mA (DC) | |
| Numéro de produit de base | BAV70 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV70-HE3-18
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | BAV70-HE3-08 | BAV70-E3-18 | BAV70-G3-18 | BAV70-E3-08 |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Configuration diode | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| La vitesse | - | - | - | - |
| Courant - fuite, inverse à Vr | - | - | - | - |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | - | - | - | - |
| Tension - inverse (Vr) (max) | - | - | - | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Température d'utilisation - Jonction | - | - | - | - |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Séries | - | - | - | - |
Téléchargez BAV70-HE3-18 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour BAV70-HE3-18 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
BAV70-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdGEN PURP DIODE 75V 0.15A SOT-23
BAV70-GS08Electro-Films (EFI) / Vishay
BAV70-QVLNexperia USA Inc.DIODE ARRAY GP 100V TO236AB
BAV70-FDII
BAV70-RTK/PSKEC
BAV70-LPANJIT
BAV70-QRNexperia USA Inc.TRANS PREBIAS NPN/PNP
BAV70-HFORMOSA
BAV70-L T/RPANJIT
BAV70-RTK/PKEC
BAV70-R1PANJITVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
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| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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