Spécifications
Spécifications techniques TPC6111(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6111(TE85L,F,M) Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6111(TE85L,F,M)
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
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| Vgs (Max) |
±8V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Package composant fournisseur |
VS-6 (2.9x2.8) |
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| Séries |
U-MOSV |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
40mOhm @ 2.8A, 4.5V |
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| Dissipation de puissance (max) |
700mW (Ta) |
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| Package / Boîte |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
700 pF @ 10 V |
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| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
10 nC @ 5 V |
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| type de FET |
P-Channel |
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| Fonction FET |
- |
|
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
1.5V, 4.5V |
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| Tension drain-source (Vdss) |
20 V |
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| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
5.5A (Ta) |
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| Numéro de produit de base |
TPC6111 |
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Pièces avec des spécifications similaires
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111(TE85L,F,M)
| Attributs du produit |
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| Modèle de produit |
TPC6111(TE85L,F,M) |
TPC6113(TE85L,F,M) |
TPC6110(TE85L,F,M) |
TPC6130 |
| Fabricant |
Toshiba Semiconductor and Storage |
Toshiba Semiconductor and Storage |
Toshiba Semiconductor and Storage |
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
| Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
150°C (TJ) |
150°C (TJ) |
- |
| Fonction FET |
- |
- |
- |
- |
| Numéro de produit de base |
TPC6111 |
TPC6113 |
TPC6110 |
- |
| Tension drain-source (Vdss) |
20 V |
20 V |
30 V |
- |
| Package composant fournisseur |
VS-6 (2.9x2.8) |
VS-6 (2.9x2.8) |
VS-6 (2.9x2.8) |
- |
| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
MOSFET (Metal Oxide) |
MOSFET (Metal Oxide) |
- |
| Séries |
U-MOSV |
U-MOSVI |
U-MOSVI |
- |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
1.5V, 4.5V |
2.5V, 4.5V |
- |
- |
| Package / Boîte |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
- |
| Vgs (Max) |
±8V |
±12V |
- |
- |
| Dissipation de puissance (max) |
700mW (Ta) |
700mW (Ta) |
700mW (Ta) |
- |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
1.2V @ 200µA |
2V @ 100µA |
- |
| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
- |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
700 pF @ 10 V |
690 pF @ 10 V |
510 pF @ 10 V |
- |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
40mOhm @ 2.8A, 4.5V |
55mOhm @ 2.5A, 4.5V |
56mOhm @ 2.2A, 10V |
- |
| type de FET |
P-Channel |
P-Channel |
P-Channel |
- |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
5.5A (Ta) |
5A (Ta) |
4.5A (Ta) |
- |
| Type de montage |
Surface Mount |
Surface Mount |
Surface Mount |
- |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
10 nC @ 5 V |
10 nC @ 5 V |
14 nC @ 10 V |
- |
Fiche technique TPC6111(TE85L,F,M) PDF
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| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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TPC6113(TE85L)F)VS-6