- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $0.048 | $0.05 |
Spécifications techniques RN4981FE,LF(CB
Toshiba Semiconductor and Storage - RN4981FE,LF(CB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - RN4981FE,LF(CB
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Package composant fournisseur | ES6 | |
| Séries | - | |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms | |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms | |
| Puissance - Max | 100mW | |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Autres noms | RN4981FE(TE85L,F) RN4981FE(TE85LF)TR RN4981FE(TE85LF)TR-ND RN4981FE,LF(CT RN4981FELF(CBTR RN4981FELF(CTTR RN4981FELF(CTTR-ND |
|
| Type de montage | Surface Mount | |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks | |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| Fréquence - Transition | 250MHz, 200MHz | |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6 | |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LF(CB
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | RN4981FE,LXHF(CT | RN4981FE,LF(CT | RN4911FE,LXHF(CT | RN4981,LXHF(CT |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Puissance - Max | - | - | - | - |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | - | - | - |
| Résistance - Base (R1) | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Transistor Type | - | - | - | - |
| Emballage | - | - | - | - |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Autres noms | - | - | - | - |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Fréquence - Transition | - | - | - | - |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | - | - | - | - |
| Délai de livraison standard du fabricant | - | - | - | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | - | - | - | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - | - | - | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - | - | - | - |
| Description détaillée | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Séries | - | - | - | - |
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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