- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
STW65N80K5.pdfConception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfAssemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdfVous voulez un meilleur prix?
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $8.972 | $8.97 |
| 10+ | $8.614 | $86.14 |
| 30+ | $7.994 | $239.82 |
| 100+ | $7.453 | $745.30 |
Spécifications techniques STW65N80K5
STMicroelectronics - STW65N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW65N80K5
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | |
| Séries | MDmesh™ K5 | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 23A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 446W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-247-3 | |
| Emballer | Tube |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 100 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 46A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STW65 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW65N80K5
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STW6N120K3 | STW65N65DM2AG | STW65N023M9-4 | STW65N60DM6 |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
Téléchargez STW65N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW65N80K5 - STMicroelectronics.
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STW6N100ESTMicroelectronics
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STW68N65DM6STMicroelectronicsDISCRETE
STW65N023M9-4STMicroelectronicsN-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
STW68N60M6-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 63A TO247-4Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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