- Jess***Jones
- 2026/04/17
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STx32N65M5.pdfPCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdfSpécifications techniques STW32N65M5
STMicroelectronics - STW32N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW32N65M5
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | |
| Séries | MDmesh™ V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 119mOhm @ 12A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-247-3 | |
| Emballer | Tube |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3320 pF @ 100 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STW32N |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW32N65M5
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STW30N65M5 | STW34N65M5 | STW31N65M5 | STW32NM50N |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| La technologie | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
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STW33N60M3STMicroelectronics
STW34NB20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
STW33N60M2 33N60M2STMicroelectronics
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STW30NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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