- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
STW11NK90Z.pdfConception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfAssemblage / origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdfVous voulez un meilleur prix?
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $1.232 | $1.23 |
| 10+ | $1.061 | $10.61 |
| 30+ | $0.955 | $28.65 |
| 100+ | $0.846 | $84.60 |
| 500+ | $0.796 | $398.00 |
| 1000+ | $0.775 | $775.00 |
Spécifications techniques STW11NK90Z
STMicroelectronics - STW11NK90Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW11NK90Z
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | |
| Séries | SuperMESH™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 4.6A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-247-3 | |
| Emballer | Tube |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 900 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.2A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STW11 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW11NK90Z
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
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|
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STW11NK90Z | 2N5629 | 2N5627 | 2N5628 |
| Fabricant | STMicroelectronics | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Tension drain-source (Vdss) | 900 V | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA | - | - | - |
| Numéro de produit de base | STW11 | - | - | - |
| Séries | SuperMESH™ | - | - | - |
| Package / Boîte | TO-247-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 4.6A, 10V | - | - | - |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | TO-204AD (TO-3) | TO-204AD (TO-3) | TO-204AD (TO-3) |
| Vgs (Max) | ±30V | - | - | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) | - | - | - |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| type de FET | N-Channel | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Emballer | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.2A (Tc) | - | - | - |
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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