- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
ST(F,P,U)6N65M2.pdfConception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfAssemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdfEmballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdfSpécifications techniques STU6N65M2
STMicroelectronics - STU6N65M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STU6N65M2
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TO-251 (IPAK) | |
| Séries | MDmesh™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 2A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 60W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Emballer | Tube |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 226 pF @ 100 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STU6N65 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STU6N65M2
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STU6N65M2-S | STU6N60M2 | STU6N60DM2 | STU6N65K3 |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| La technologie | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
Téléchargez STU6N65M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STU6N65M2 - STMicroelectronics.
STU65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N CH 30V 65A IPAK
STU6N65M2-SSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4A IPAK
STU660SAMHOP
STU65G0-P6KE400AEIC Semiconductor, Inc.
STU666SSAMHOP
STU70R1K3SSTMicroelectronicsDISCRETE
STU75N3LLH6-S-HSTMicroelectronics
STU6N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 6A IPAK
STU6N65K3 MOSSTMicroelectronicsVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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