- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 5+ | $0.118 | $0.59 |
| 50+ | $0.096 | $4.80 |
| 150+ | $0.087 | $13.05 |
| 500+ | $0.075 | $37.50 |
| 3000+ | $0.061 | $183.00 |
| 6000+ | $0.058 | $348.00 |
Spécifications techniques STT2PF60L
STMicroelectronics - STT2PF60L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STT2PF60L
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±15V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | SOT-23-6 | |
| Séries | STripFET™ II | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Tc) | |
| Package / Boîte | SOT-23-6 | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 313 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| type de FET | P-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STT2P |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STT2PF60L
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STT2PF60L | STT250GK12 | STT3300N18P76XPSA1 | STT278AB28T |
| Fabricant | STMicroelectronics | SIRECTIFIER | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| type de FET | P-Channel | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±15V | - | - | - |
| Numéro de produit de base | STT2P | - | STT3300N | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Tc) | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V | - | - | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tc) | - | - | - |
| Séries | STripFET™ II | - | * | - |
| Package / Boîte | SOT-23-6 | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 313 pF @ 25 V | - | - | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | - | - | - |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | - | Tray | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | - | - | - |
| Type de montage | Surface Mount | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | - | - | - |
| Package composant fournisseur | SOT-23-6 | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | - | - | - |
Téléchargez STT2PF60L PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STT2PF60L - STMicroelectronics.
STT250GK12SIRECTIFIERIGBT Module
STT3300N18P76XPSA1Infineon TechnologiesTHYR / DIODE MODULE DK BG-PS76-1
STT278AB28TSTMicroelectronics
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STT231AB16NTSTMicroelectronics
STT2200N16P55Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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