- Jess***Jones
- 2026/04/17
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STS4DNFS30L.pdfPCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdfSpécifications techniques STS4DNFS30L
STMicroelectronics - STS4DNFS30L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS4DNFS30L
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±16V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | |
| Séries | STripFET™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) | |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STS4D |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS4DNFS30L
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STS4DNFS30L | STS4NF100 | STS4DNFS30 | STS4DPFS30L |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs (Max) | ±16V | ±20V | ±20V | ±16V |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | 10V | 5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) | 4A (Tc) | 4.5A (Tc) | 5A (Tc) |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) | 2.5W (Ta) | 2W (Tc) | 2.5W (Tc) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V | 100 V | 30 V | 30 V |
| type de FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | - | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| Numéro de produit de base | STS4D | STS4N | STS4D | STS4D |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V | 70mOhm @ 2A, 10V | 55mOhm @ 2A, 10V | 55mOhm @ 2.5A, 10V |
| Séries | STripFET™ | STripFET™ II | STripFET™ | STripFET™ |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V | 41 nC @ 10 V | 4.7 nC @ 5 V | 16 nC @ 5 V |
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| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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