- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
STS2DPFS20V.pdfSpécifications techniques STS2DPFS20V
STMicroelectronics - STS2DPFS20V Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS2DPFS20V
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | |
| Séries | STripFET™ II | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) | |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 15 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V | |
| type de FET | P-Channel | |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.7V, 4.5V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STS2D |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS2DPFS20V
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STS2DPFS20V | STS30N3LLH6 | STS26N3LLH6 | STS2DNE60 |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs (Max) | ±12V | ±20V | ±20V | - |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) | 2.7W (Tc) | 2.7W (Ta) | - |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| type de FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Séries | STripFET™ II | DeepGATE™, STripFET™ VI | DeepGATE™, STripFET™ VI | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 15 V | 4040 pF @ 25 V | 4040 pF @ 25 V | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.7V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| Numéro de produit de base | STS2D | STS30 | STS26 | - |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | 30 V | 30 V | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V | 40 nC @ 4.5 V | 40 nC @ 4.5 V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1A, 4.5V | 2.4mOhm @ 15A, 10V | 4.4mOhm @ 13A, 10V | - |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | - | - | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) | 30A (Tc) | 26A (Tc) | - |
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STS2DNE60STMicroelectronics
STS30A-DIS-2.5kSSensirion
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| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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