- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
STPSC40065C-Y.pdfConception / spécification PCN
Mult Dev Mold Compound Chg 6/May/2019.pdf Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfAssemblage / origine PCN
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $14.417 | $14.42 |
| 200+ | $5.579 | $1,115.80 |
| 600+ | $5.383 | $3,229.80 |
| 1200+ | $5.286 | $6,343.20 |
Spécifications techniques STPSC40065CWY
STMicroelectronics - STPSC40065CWY Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STPSC40065CWY
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.45 V @ 20 A | |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 650 V | |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 | |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0 ns |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Package / Boîte | TO-247-3 | |
| Emballer | Tube | |
| Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 175°C | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 300 µA @ 650 V | |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 20A | |
| Capacité à Vr, F | 1250pF @ 0V, 1MHz | |
| Numéro de produit de base | STPSC40065 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STPSC40065CWY
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STPSC40G12WLY | STPSC4H065B-TR | STPSC4H065DI | STPSC4H065D |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | - | - | - | - |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Courant - fuite, inverse à Vr | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Température d'utilisation - Jonction | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | - | - | - | - |
| Capacité à Vr, F | - | - | - | - |
| Tension - inverse (Vr) (max) | - | - | - | - |
| La vitesse | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
Téléchargez STPSC40065CWY PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STPSC40065CWY - STMicroelectronics.
STPSC40G12WLYSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE 1200 V, 40A POWER SCH
STPSC30H12CWLSTMicroelectronics
STPSC40G12WLSTMicroelectronics1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
STPSC30G12WLYSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE 1200 V, 30 A SILICON
STPSC2H12STMicroelectronics
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
STPSC30G12WLSTMicroelectronics1200 V, 20 A HIGH SURGE SILICON
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220ACVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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