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Accueil Centre des produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Single~~STP80N10F7~~

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STP80N10F7 - STMicroelectronics

Name: STMicroelectronics STP80N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP80N10F7
Price: 1.863 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (4 reviews)

Fabricant Modèle de produit: STP80N10F7

Fabricant: STMicroelectronics

Allelco Modèle de produit: 32D-STP80N10F7

garantie: Garantie de 1 an Allelco - En savoir plus

Description des pièces: MOSFET N-CH 100V 80A TO220

Emballage: TO-220

Fiche technique: 1.STP80N10F7.pdf ...

Feuilles de données
STx80N10F7,STH80N10F7-2.pdf

PCN Obsolescence / EOL
STF STP 11-Nov-2022.pdf

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf

Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf

État RoHS: ROHS3 conforme

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Spécifications

Spécifications techniques STP80N10F7
STMicroelectronics - STP80N10F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP80N10F7

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	TO-220
Séries	DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Package / Boîte	TO-220-3
Emballer	Tube

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 50 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Numéro de produit de base	STP80

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT	LA DESCRIPTION
État RoHS	ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut de portée	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP80N10F7

Attributs du produit
Modèle de produit	STP80N70F4	STP80N340K6	STP80N600K6	STP80N240K6
Fabricant	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Emballer	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Fonction FET	-	-	-	-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-	-	-	-
Tension drain-source (Vdss)	-	-	-	-
Package / Boîte	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-	-	-	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	-	-	-	-
type de FET	-	-	-	-
Package composant fournisseur	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	-	-	-	-
Séries	-	-	-	-
Numéro de produit de base	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42
Dissipation de puissance (max)	-	-	-	-
La technologie	-	-	-	-
Type de montage	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
Température de fonctionnement	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C

Fiche technique STP80N10F7 PDF

Téléchargez STP80N10F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP80N10F7 - STMicroelectronics.

Feuilles de données: STx80N10F7,STH80N10F7-2.pdf
PCN Obsolescence / EOL: STF STP 11-Nov-2022.pdf
Conception / spécification PCN: Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
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Évaluation: 10 Articles

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Yaqu***l Ali

2024/06/19

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Amérique	États-Unis	5
Amérique	Brésil	7
L'Europe 	Allemagne	5
	Royaume-Uni	4
	Italie	5
Océanie	Australie	6
Océanie	Nouvelle-Zélande	5
Asie	Inde	4
Asie	Japon	4
Moyen-Orient	Israël	6

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Frais d'expédition (kg)	Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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