- Jess***Jones
- 2026/04/17
Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdfFeuilles de données
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $1.22 | $1.22 |
Spécifications techniques STL180N6F7
STMicroelectronics - STL180N6F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL180N6F7
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | PowerFlat™ (5x6) | |
| Séries | STripFET™ F7 | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 16A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 4.8W (Ta), 166W (Tc) | |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4825 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 79.5 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 32A (Ta), 120A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STL180 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL180N6F7
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STL195N4F7AG | STL18N60M6 | STL18N65M2 | STL18N65M5 |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
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STL195N4F7AGSTMicroelectronicsDISCRETE
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STL18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
STL16N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV
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STL19N3LLH6AGSTMicroelectronicsDISCRETE
STL17N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
STL18N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
STL17N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
STL18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 6A POWERFLATVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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