- Jess***Jones
- 2026/04/17
Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfAssemblage / origine PCN
Mold Compound 06/May/2020.pdfPCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdfSpécifications techniques STE139N65M5
STMicroelectronics - STE139N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STE139N65M5
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | ISOTOP | |
| Séries | MDmesh™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 65A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 672W (Tc) | |
| Package / Boîte | ISOTOP | |
| Emballer | Tube |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15600 pF @ 100 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 363 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 130A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STE1 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STE139N65M5
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STE139N65M5 | STE110NS20FD | STE140NF20D | STE145N65M5 |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 130A (Tc) | 110A (Tc) | 140A (Tc) | 143A (Tc) |
| Emballer | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 65A, 10V | 24mOhm @ 50A, 10V | 12mOhm @ 70A, 10V | 15mOhm @ 69A, 10V |
| Vgs (Max) | ±25V | ±20V | ±20V | ±25V |
| Numéro de produit de base | STE1 | STE1 | STE1 | STE145 |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15600 pF @ 100 V | 7900 pF @ 25 V | 11100 pF @ 25 V | 18500 pF @ 100 V |
| Package composant fournisseur | ISOTOP | ISOTOP® | ISOTOP | ISOTOP® |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Package / Boîte | ISOTOP | ISOTOP | ISOTOP | ISOTOP |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 363 nC @ 10 V | 504 nC @ 10 V | 338 nC @ 10 V | 414 nC @ 10 V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | 200 V | 200 V | 650 V |
| type de FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Type de montage | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | MDmesh™ | MESH OVERLAY™ | STripFET™ II | MDmesh™ V |
| Dissipation de puissance (max) | 672W (Tc) | 500W (Tc) | 500W (Tc) | 679W (Tc) |
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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