- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
STB,D15N65M5.pdfAssemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdfSpécifications techniques STD15N65M5
STMicroelectronics - STD15N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD15N65M5
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | DPAK | |
| Séries | MDmesh™ V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 816 pF @ 100 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STD15 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD15N65M5
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STD15N65M5 | 2N4391 | 2N4388 |
| Fabricant | STMicroelectronics | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| Fonction FET | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | - | - |
| Package composant fournisseur | DPAK | TO-18 | TO-66 (TO-213AA) |
| Vgs (Max) | ±25V | - | - |
| type de FET | N-Channel | N-Channel | - |
| Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) | - | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | -55°C ~ 125°C (TJ) | - |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | - | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 5.5A, 10V | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 816 pF @ 100 V | 14pF @ 20V | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | - | - |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-213AA, TO-66-2 |
| Séries | MDmesh™ V | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | - | - |
| Numéro de produit de base | STD15 | 2N4391 | - |
Téléchargez STD15N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD15N65M5 - STMicroelectronics.
Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Vous voulez un meilleur prix? Ajouter à CART et Soumettre RFQ maintenant, nous vous contacterons immédiatement.