- Jess***Jones
- 2026/04/17
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Oct/2018.pdfConception / spécification PCN
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdfSpécifications techniques STB25NM60ND
STMicroelectronics - STB25NM60ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB25NM60ND
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | D2PAK | |
| Séries | FDmesh™ II | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 50 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | STB25N |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB25NM60ND
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | STB26NM60ND | STB25NM60N | STB27NM60ND | STB25NM60N-1 |
| Fabricant | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| La technologie | - | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| type de FET | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
Téléchargez STB25NM60ND PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB25NM60ND - STMicroelectronics.
STB270N04 MOSSTMicroelectronics
STB251-78Carling TechnologiesSWITCH TOGGLE
STB25NM60ND MOSSTMicroelectronics
STB270N4F3-6STMicroelectronics
STB270N04STMicroelectronics
STB25NM60N MOSSTMicroelectronicsVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Vous voulez un meilleur prix? Ajouter à CART et Soumettre RFQ maintenant, nous vous contacterons immédiatement.