- Jess***Jones
- 2026/04/17
PCN Obsolescence / EOL
2017 Year-End EOL 8/Jan/2018.pdfFeuilles de données
PHK5NQ15T.pdfSpécifications techniques PHK5NQ15T,518
Nexperia USA Inc. - PHK5NQ15T,518 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PHK5NQ15T,518
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Nexperia | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | 8-SO | |
| Séries | TrenchMOS™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 5A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 6.25W (Tc) | |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 150 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 2 (1 Year) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PHK5NQ15T,518
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | PHK5NQ15T518 | PHK4NQ10T,518 | PHK4NQ20T,518 | PHK31NQ03LT,518 |
| Fabricant | NXP USA Inc. | NXP Semiconductors / Freescale | NXP Semiconductors / Freescale | Nexperia USA Inc. |
| Séries | - | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| La technologie | - | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
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PHKD13N03LT,118Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
PHK5NQ10TLUMILEDS
PHKD3NQ10TNexperia
PHKD13N03LT,518Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
PHKD13N03LT518Nexperia
PHK31NQ03LT,518Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 30.4A 8SOVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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