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- 2026/04/17
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Mult Devices OBS 13/Aug/2018.pdfSpécifications techniques JTDB75
Microsemi Corporation - JTDB75 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - JTDB75
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microsemi | |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 55V | |
| Transistor Type | NPN | |
| Package composant fournisseur | 55AW | |
| Séries | - | |
| Puissance - Max | 220W | |
| Package / Boîte | 55AW | |
| Emballer | Bulk |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 200°C (TJ) | |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Gain | 7dB ~ 8.2dB | |
| Fréquence - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz | |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V | |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 8A |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation JTDB75
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | JTDB75 | JTDB25 | JTD1548S12 | JTD1548S3V3 |
| Fabricant | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | XP Power | XP Power |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - | - | - | - |
| Emballer | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| Transistor Type | NPN | NPN | - | - |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 55V | 55V | - | - |
| Puissance - Max | 220W | 97W | - | - |
| Fréquence - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz | 960MHz ~ 1.215GHz | - | - |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V | 20 @ 500mA, 5V | - | - |
| Type de montage | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| Gain | 7dB ~ 8.2dB | 7.5dB | - | - |
| Package / Boîte | 55AW | 55AW-1 | 6-DIP Module | 6-DIP Module |
| Séries | - | - | JTD15 (15W) | JTD15 (15W) |
| Package composant fournisseur | 55AW | 55AW-1 | 6-DIP | 6-DIP |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 8A | 5A | - | - |
| Température de fonctionnement | 200°C (TJ) | 200°C (TJ) | -40°C ~ 100°C (With Derating) | -40°C ~ 100°C (With Derating) |
Téléchargez JTDB75 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour JTDB75 - Microsemi Corporation.
JTDB25Microsemi CorporationRF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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