- Jess***Jones
- 2026/04/17
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdfConception / spécification PCN
SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015.pdfPCN Obsolescence / EOL
STD Dev EOL Jul/2018.pdfSpécifications techniques APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation - APTCV90TL12T3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APTCV90TL12T3G
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microsemi | |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200 V | |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A | |
| Package composant fournisseur | SP3 | |
| Séries | - | |
| Puissance - Max | 280 W | |
| Package / Boîte | SP3 | |
| Emballer | Bulk | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| NTC thermistance | Yes | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.77 nF @ 25 V | |
| Contribution | Standard | |
| type de IGBT | Trench Field Stop | |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1 mA | |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 80 A | |
| Configuration | Three Level Inverter - IGBT, FET |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APTCV90TL12T3G
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | APTCV60TLM24T3G | APTCV60TLM70T3G | APTCV60TLM45T3G | APTCV60TLM99T3G |
| Fabricant | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| type de IGBT | - | - | - | - |
| Configuration | - | - | - | S/H-ADC |
| Contribution | - | - | - | - |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | - | - | - | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| NTC thermistance | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Puissance - Max | - | - | - | - |
Téléchargez APTCV90TL12T3G PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APTCV90TL12T3G - Microsemi Corporation.
APTD1608QWF/DKingbright
APTCV60HM70BT3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCV60TLM70T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
APTD1608L-CHS47-5MAVKingbright
APTD1608-ELB33Kingbright
APTCV60HM45RT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCV60HM45BT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCV60TLM24T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
APTD1608-EF27Kingbright
APTCV60TLM45T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
APTCV60HM45RCT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCV60HM70RT3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
APTCV60TLM99T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 50A 90W SP3Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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