- Jess***Jones
- 2026/04/17
Conception / spécification PCN
VP2206 20/Dec/2021.pdfAssemblage / origine PCN
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014.pdfEmballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdfSpécifications techniques VP2206N2
Microchip Technology - VP2206N2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VP2206N2
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microchip Technology | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TO-39 | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 360mW (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
| Emballer | Bag |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V | |
| type de FET | P-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 750mA (Tj) | |
| Numéro de produit de base | VP2206 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | RoHS non conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VP2206N2
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | VP2206N2 | VP2206N3-G-P003 | VP2206N3-G | VP21121-4/SQFP208/TR |
| Fabricant | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | LUMILEDS |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | - |
| Emballer | Bag | Tape & Reel (TR) | Bag | - |
| Dissipation de puissance (max) | 360mW (Tc) | 740mW (Tc) | 740mW (Tc) | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - |
| Package composant fournisseur | TO-39 | TO-92-3 | TO-92-3 | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 750mA (Tj) | 640mA (Tj) | 640mA (Tj) | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA | 3.5V @ 10mA | 3.5V @ 10mA | - |
| Vgs (Max) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V | 900mOhm @ 3.5A, 10V | 900mOhm @ 3.5A, 10V | - |
| type de FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| Numéro de produit de base | VP2206 | VP2206 | VP2206 | - |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| Séries | - | - | - | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | - |
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VP21121-4/SQFP208/TRLUMILEDS
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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