- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
TP2104.pdfConception / spécification PCN
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $0.902 | $0.90 |
| 10+ | $0.772 | $7.72 |
| 30+ | $0.701 | $21.03 |
| 100+ | $0.62 | $62.00 |
| 500+ | $0.584 | $292.00 |
| 1000+ | $0.568 | $568.00 |
Spécifications techniques TP2104K1-G
Microchip Technology - TP2104K1-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TP2104K1-G
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microchip Technology | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TO-236AB (SOT23) | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta) | |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V | |
| type de FET | P-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 40 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 160mA (Tj) | |
| Numéro de produit de base | TP2104 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TP2104K1-G
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | TP2104K1-G | TP2104N3-G | TP2104N3-G-P003 | TP2112-SR |
| Fabricant | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | 3PEAK |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 40 V | 40 V | 40 V | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | - |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Reel (TR) | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| type de FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 160mA (Tj) | 175mA (Tj) | 175mA (Tj) | - |
| Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta) | 740mW (Ta) | 740mW (Ta) | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | TO-236AB (SOT23) | TO-92-3 | TO-92-3 | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Numéro de produit de base | TP2104 | TP2104 | TP2104 | - |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - |
| Vgs (Max) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
Téléchargez TP2104K1-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour TP2104K1-G - Microchip Technology.
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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