- Jess***Jones
- 2026/04/17
Assemblage / origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdfEmballage PCN
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $0.877 | $0.88 |
| 10+ | $0.857 | $8.57 |
| 30+ | $0.844 | $25.32 |
| 100+ | $0.83 | $83.00 |
Spécifications techniques TN2540N3-G
Microchip Technology - TN2540N3-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TN2540N3-G
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microchip Technology | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 500mA, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Emballer | Bag |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 125 pF @ 25 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 400 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 175mA (Tj) | |
| Numéro de produit de base | TN2540 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TN2540N3-G
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | TN2540N3-G | TN2540N3-G-P002 | TN2540N8-G | TN2524N8-G |
| Fabricant | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Vgs (Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| type de FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Numéro de produit de base | TN2540 | TN2540 | TN2540 | TN2524 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 175mA (Tj) | 175mA (Tj) | 260mA (Tj) | 360mA (Tj) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 | TO-92-3 | TO-243AA (SOT-89) | TO-243AA (SOT-89) |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Tc) |
| Tension drain-source (Vdss) | 400 V | 400 V | 400 V | 240 V |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 500mA, 10V | 12Ohm @ 500mA, 10V | 12Ohm @ 500mA, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Séries | - | - | - | - |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 125 pF @ 25 V | 125 pF @ 25 V | 125 pF @ 25 V | 125 pF @ 25 V |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Emballer | Bag | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-243AA | TO-243AA |
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TN2635N3SUPERTEX
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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