- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $13.573 | $13.57 |
| 200+ | $5.416 | $1,083.20 |
| 500+ | $5.235 | $2,617.50 |
| 1000+ | $5.146 | $5,146.00 |
Spécifications techniques APT70GR65B
Microchip Technology - APT70GR65B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT70GR65B
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microchip Technology | |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650 V | |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A | |
| Condition de test | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V | |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 19ns/170ns | |
| énergie de commutation | 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) | |
| Package composant fournisseur | TO-247 | |
| Séries | - | |
| Puissance - Max | 595 W | |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Emballer | Tube | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Type d'entrée | Standard | |
| type de IGBT | NPT | |
| gate charge | 305 nC | |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 260 A | |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 134 A | |
| Numéro de produit de base | APT70GR65 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT70GR65B
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | APT70GR65B2SCD30 | APT70GR65B2DU40 | APT70GR120B2 | APT70GR120L |
| Fabricant | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| énergie de commutation | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Condition de test | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| type de IGBT | - | - | - | - |
| Puissance - Max | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| gate charge | - | - | - | - |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | - | - | - | - |
| Type d'entrée | - | - | - | Differential |
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APT70GR120LMicrochip TechnologyIGBT 1200V 160A 961W TO264
APT70GR120B2Microchip TechnologyIGBT 1200V 160A 961W TO247
APT68GA60LD40Microchip TechnologyIGBT 600V 121A 520W TO-264
APT75DQ100BMicrosemi
APT68GA60BMicrochip TechnologyIGBT 600V 121A 520W TO-247
APT70GR65B2SCD30Microsemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT68GA60B2D40Microchip TechnologyIGBT 600V 121A 520W TO-247
APT70GR65B2DU40Microsemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT70SM70BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A TO247
APT66M60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A TO264Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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