- Jess***Jones
- 2026/04/17
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdfPCN Obsolescence / EOL
STD Dev EOL Jul/2018.pdfSpécifications techniques APT33N90JCU3
Microchip Technology - APT33N90JCU3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT33N90JCU3
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microchip Technology | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | SOT-227 | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 290W (Tc) | |
| Package / Boîte | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Emballer | Tray |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Chassis Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 100 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 900 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 33A (Tc) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT33N90JCU3
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | APT33N90JCCU3 | APT33N90JCU2 | APT33N90JCCU2 | APT32M80J |
| Fabricant | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| Séries | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Fonction FET | - | - | - | - |
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APT34F100B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
APT34M120J-LOT6APTIGBT Module
APT33GF120BRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 52A 297W TO247
APT34F100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A TO264
APT34M60BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A TO247
APT34F60S/TRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
APT34F60BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A TO247
APT33GF120B2RDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TMAX
APT33GF120B2RDGAPT
APT34F60SMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
APT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TO264
APT34F60BGMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 34A TO247-3Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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