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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $103.541 | $103.54 |
| 200+ | $41.314 | $8,262.80 |
| 500+ | $39.933 | $19,966.50 |
| 1000+ | $39.251 | $39,251.00 |
Spécifications techniques APL602B2G
Microchip Technology - APL602B2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APL602B2G
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Microchip Technology | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | T-MAX™ [B2] | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 24.5A, 12V | |
| Dissipation de puissance (max) | 730W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-247-3 Variant | |
| Emballer | Tube |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 12V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 49A (Tc) | |
| Numéro de produit de base | APL602 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APL602B2G
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | APL602B2G | APL602L-1 | APL602LG | APL602J |
| Fabricant | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Séries | - | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 12V | 12V | 12V | 12V |
| Dissipation de puissance (max) | 730W (Tc) | 730W (Tc) | 730W (Tc) | 565W (Tc) |
| Vgs (Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| Emballer | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| Numéro de produit de base | APL602 | - | APL602 | APL602 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 24.5A, 12V | 125mOhm @ 24.5A, 12V | 125mOhm @ 24.5A, 12V | 125mOhm @ 21.5A, 12V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 49A (Tc) | 49A (Tc) | 49A (Tc) | 43A (Tc) |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V | 9000 pF @ 25 V | 9000 pF @ 25 V | 9000 pF @ 25 V |
| type de FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Package / Boîte | TO-247-3 Variant | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package composant fournisseur | T-MAX™ [B2] | TO-264 [L] | TO-264 [L] | ISOTOP® |
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APL6012QBI-TRGAnpec
APL6001QFI-TYGANPEC
APL602L-1Microchip TechnologyMOSFET LINEAR 600 V 49 A TO-264
APL602LGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 49A TO264
APL6002BA8I-TRGANPEC
APL6002ABI-TRGANPEC
APL5934KAI-TRGANPEC
APL6501A8I-TRLANPEC
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APL5950KAI-TRGANPEC
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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