- Jess***Jones
- 2026/04/17
Conception / spécification PCN
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 5+ | $0.147 | $0.74 |
| 50+ | $0.119 | $5.95 |
| 150+ | $0.107 | $16.05 |
| 500+ | $0.091 | $45.50 |
| 3000+ | $0.079 | $237.00 |
| 6000+ | $0.074 | $444.00 |
Spécifications techniques RTR025P02TL
Rohm Semiconductor - RTR025P02TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RTR025P02TL
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | LAPIS Technology | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | TSMT3 | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 2.5A, 4.5V | |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | |
| Package / Boîte | SC-96 | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V | |
| type de FET | P-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Ta) | |
| Numéro de produit de base | RTR025 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RTR025P02TL
| Attributs du produit | ![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | RTR025P02TL | 1N5254B | 1N5254A | 1N5254 |
| Fabricant | Rohm Semiconductor | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Ta) | - | - | - |
| Vgs (Max) | ±12V | - | - | - |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | TSMT3 | - | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Bag | Bulk | Bulk |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 2.5A, 4.5V | - | - | - |
| type de FET | P-Channel | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Package / Boîte | SC-96 | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V | - | - | - |
| Numéro de produit de base | RTR025 | - | 1N5254 | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | - | - | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
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1N5254BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 27V 500MW
1N5254AMicrochip TechnologyDIODE ZENER
1N5254Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR
1N5254BMicrochip TechnologyDIODE ZENER
1N5254/TRMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATOR
1N5254A (DO-35)Microsemi CorporationDIODE ZENER 27V 500MW DO35Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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