- Jess***Jones
- 2026/04/17
Feuilles de données
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $10.621 | $10.62 |
| 10+ | $9.951 | $99.51 |
| 30+ | $9.225 | $276.75 |
| 90+ | $8.592 | $773.28 |
Spécifications techniques IV1Q12050T4
Inventchip - IV1Q12050T4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Inventchip - IV1Q12050T4
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Inventchip | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 6mA | |
| Vgs (Max) | +20V, -5V | |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Package composant fournisseur | TO-247-4 | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V | |
| Dissipation de puissance (max) | 344W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-247-4 | |
| Emballer | Tube |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 800 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 20 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Inventchip IV1Q12050T4
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
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|
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | IV1Q12050T4 | IV1Q12050T3 | IV1Q12160T4 | IV1215SA |
| Fabricant | Inventchip | Inventchip | Inventchip | XP Power |
| type de FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) | 58A (Tc) | 20A (Tc) | - |
| Séries | - | - | - | IV (1W) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V | 65mOhm @ 20A, 20V | 195mOhm @ 10A, 20V | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 6mA | 3.2V @ 6mA | 2.9V @ 1.9mA | - |
| Vgs (Max) | +20V, -5V | +20V, -5V | +20V, -5V | - |
| Emballer | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Dissipation de puissance (max) | 344W (Tc) | 327W (Tc) | 138W (Tc) | - |
| Package composant fournisseur | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V | 20V | 20V | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 800 V | 2770 pF @ 800 V | 885 pF @ 800 V | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | - |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 20 V | 120 nC @ 20 V | 43 nC @ 20 V | - |
| Package / Boîte | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-4 | 7-SIP Module, 4 Leads |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 85°C |
Téléchargez IV1Q12050T4 PDF DataSheets et Documentation Inventchip pour IV1Q12050T4 - Inventchip.
IV1Q12050T3InventchipSIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
IV1D12010T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
IV1D12020T3InventchipSIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
IV1D12005O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2
IV1D12015T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2
IV1D12010O2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
IV1D12020T2InventchipDIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
IV1D06006P3InventchipDIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
IV1D12040U2InventchipSIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2
IV1Q12160T4InventchipSIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
IV1D12030U3InventchipSIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T
IV1D06006O2InventchipDIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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