- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $0.115 | $0.12 |
| 200+ | $0.046 | $9.20 |
| 500+ | $0.044 | $22.00 |
| 1000+ | $0.043 | $43.00 |
Spécifications techniques GSFL1003
Good-Ark Semiconductor - GSFL1003 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Good-Ark Semiconductor - GSFL1003
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Good-Ark Semiconductor | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | SOT-223 | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 1.78W (Ta) | |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| type de FET | P-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Good-Ark Semiconductor GSFL1003
| Attributs du produit | ![]() |
|
|---|---|---|
| Modèle de produit | GSFL1003 | HA16PRM-3SE(71) |
| Fabricant | Good-Ark Semiconductor | Hirose Electric Co Ltd |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) | - |
| Type de montage | Surface Mount | Panel Mount, Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -25°C ~ 70°C |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.78W (Ta) | - |
| type de FET | P-Channel | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | - |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | - |
| Package composant fournisseur | SOT-223 | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2A, 10V | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V | - |
| Fonction FET | - | - |
| Séries | - | HA |
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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