- Nath***rooks
- 2026/06/11
Livret des spécifications
PDTC144E Series.pdfSpécifications techniques PDTC114ES,126
NXP Semiconductors / Freescale - PDTC114ES,126 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP Semiconductors / Freescale - PDTC114ES,126
| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Fabricant | NXP Semiconductors |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 500mW |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms | 934047440126 PDTC114ES AMO PDTC114ES AMO-ND |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | PDTC114 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP Semiconductors / Freescale PDTC114ES,126
| Attributs du produit | ![]() |
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|
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | PDTC114EMB,315 | PDTC114ET/DG/B2,21 | PDTC114EMB,315 | PDTC114ET/DG/B4,21 |
| Fabricant | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP Semiconductors | Nexperia USA Inc. |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Autres noms | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | - | - | - | - |
| Puissance - Max | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | - | - | - | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | - | - | - | - |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | - | - | - |
| Résistance - Base (R1) | - | - | - | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - | - | - | - |
| Emballage | - | - | - | - |
| Numéro de pièce de base | - | - | - | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Description détaillée | - | - | - | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Transistor Type | - | - | - | - |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - | - | - | - |
Téléchargez PDTC114ES,126 PDF DataSheets et Documentation NXP Semiconductors / Freescale pour PDTC114ES,126 - NXP Semiconductors / Freescale.
PDTC114ETNexperia
PDTC114ET/DG/B2,21Nexperia USA Inc.TRANS RET TO-236AB
PDTC114ET,215Nexperia USA Inc.TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
PDTC114ET,235Nexperia USA Inc.TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
PDTC114ET/DG/B4,21Nexperia USA Inc.TRANS PREBIAS NPN
PDTC114ET-QVLNexperia USA Inc.TRANS PREBIAS NPN/PNP
PDTC114EMB,315Nexperia USA Inc.NEXPERIA PDTC114EMB - UPN RESIST
PDTC114EQBZNexperia USA Inc.PDTC114EQB/SOT8015/DFN1110D-3Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













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