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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMTH6010SCT
DMTH6010SCT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMTH6010SCT - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMTH6010SCT
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMTH6010SCT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
DMTH6010SCT.pdf
État RoHS
En stock: 63200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMTH6010SCT
Diodes Incorporated - DMTH6010SCT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMTH6010SCT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base DMTH6010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMTH6010SCT

Attributs du produit DMTH6010SCT DMTH6016LPSQ-13 DMTH6004SPS-13 DMTH6016LFVWQ-7
Modèle de produit DMTH6010SCT DMTH6016LPSQ-13 DMTH6004SPS-13 DMTH6016LFVWQ-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V 16mOhm @ 20A, 10V 3.1mOhm @ 50A, 10V 16mOhm @ 20A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base DMTH6010 DMTH6016 DMTH6004 DMTH6016
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 9.8A (Ta), 37A (Tc) 25A (Ta), 100A (Tc) 41A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 125W (Tc) 2.6W (Ta), 37.5W (Tc) 2.1W (Ta), 167W (Tc) 1.17W (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36.3 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 95.4 nC @ 10 V 15.1 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220-3 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 30 V 864 pF @ 30 V 4556 pF @ 30 V 939 pF @ 30 V
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101

Fiche technique DMTH6010SCT PDF

Téléchargez DMTH6010SCT PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMTH6010SCT - Diodes Incorporated.

Feuilles de données
DMTH6010SCT.pdf
Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 06/Dec/2019.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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