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Accueil Centre des produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Single~~IRFB260NPBF~~

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IRFB260NPBF - Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies IRFB260NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB260NPBF
Price: 0.563 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (9 reviews)

Fabricant Modèle de produit: IRFB260NPBF

Fabricant: Infineon Technologies

Allelco Modèle de produit: 32D-IRFB260NPBF

garantie: Garantie de 1 an Allelco - En savoir plus

Description des pièces: MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB

Emballage: TO-220AB

Fiche technique: 1.IRFB260NPBF.pdf ...

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf

Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf

Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021.pdf

Emballage PCN
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État RoHS: ROHS3 conforme

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Spécifications

Spécifications techniques IRFB260NPBF
Infineon Technologies - IRFB260NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFB260NPBF

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 34A, 10V
Dissipation de puissance (max)	380W (Tc)
Package / Boîte	TO-220-3
Emballer	Tube

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4220 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	220 nC @ 10 V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	56A (Tc)
Numéro de produit de base	IRFB260

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT	LA DESCRIPTION
État RoHS	ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut de portée	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFB260NPBF

Attributs du produit
Modèle de produit	IRFB20N50KPBF	IRFB23N20DPBF	IRFB23N15DPBF	IRFB3006GPBF
Fabricant	Vishay Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	Infineon Technologies
Fonction FET	-	-	-	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-	-	-	-
Package composant fournisseur	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	-	-	-	-
type de FET	-	-	-	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-	-	-	-
Numéro de produit de base	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-	-	-	-
Température de fonctionnement	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C
La technologie	-	-	-	-
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	-	-	-	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Séries	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Emballer	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max)	-	-	-	-
Package / Boîte	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad
Tension drain-source (Vdss)	-	-	-	-
Type de montage	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount

Fiche technique IRFB260NPBF PDF

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2024/06/19

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Amérique	États-Unis	5
Amérique	Brésil	7
L'Europe 	Allemagne	5
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	Italie	5
Océanie	Australie	6
Océanie	Nouvelle-Zélande	5
Asie	Inde	4
Asie	Japon	4
Moyen-Orient	Israël	6

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Frais d'expédition (kg)	Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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