- Jess***Jones
- 2026/04/17
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Infineon Technologies - IRF6644TR1PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6644TR1PBF
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | DIRECTFET™ MN | |
| Séries | HEXFET® | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10.3A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Package / Boîte | DirectFET™ Isometric MN | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2210 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6644TR1PBF
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | IRF6643TR1PBF | IRF6641TR1PBF | IRF6644TRPBF | IRF6645TR1PBF |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Séries | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| type de FET | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
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IRF6643TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
IRF6641TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
IRF6645Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
IRF6641PBFIR
IRF6645TRIR
IRF6644TRIR
IRF6644TRPBF MOSIR
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
IRF6646TRIR
IRF6644TR1PBF MOSIR
IRF6644TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRF6641TRIR
IRF6644Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRF6645TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
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|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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