- Jess***Jones
- 2026/04/17
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Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 8µA | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | PG-SOT363-PO | |
| Séries | OptiMOS™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Dissipation de puissance (max) | 560mW (Ta) | |
| Package / Boîte | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 228 pF @ 15 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | |
| type de FET | P-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) | |
| Numéro de produit de base | BSV236 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | BSV236SPH6327XTSA1 | BSV236SP L6327 | BSV236SP H6327 | BSV52,215 |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Nexperia USA Inc. |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 228 pF @ 15 V | 228 pF @ 15 V | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| Numéro de produit de base | BSV236 | - | - | BSV52 |
| Tension drain-source (Vdss) | 20 V | 20 V | - | - |
| type de FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 8µA | 1.2V @ 8µA | - | - |
| Vgs (Max) | ±12V | ±12V | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | 560mW (Ta) | 560mW (Ta) | - | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) |
| Package composant fournisseur | PG-SOT363-PO | PG-SOT363-PO | - | TO-236AB |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | 5.7 nC @ 4.5 V | - | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) | 1.5A (Ta) | - | - |
| Séries | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | Automotive, AEC-Q101 |
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BSV236SP H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSV52,215Nexperia USA Inc.TRANS NPN 12V 0.1A TO236AB
BSV236SPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSV52TAZETEXVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
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| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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