- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $0.405 | $0.41 |
Spécifications techniques BSC0925NDATMA1
Infineon Technologies - BSC0925NDATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC0925NDATMA1
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | PG-TISON-8 | |
| Séries | OptiMOS™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V | |
| Puissance - Max | 2.5W | |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1157pF @ 15V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V | |
| Fonction FET | - | |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 15A | |
| Configuration | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) | |
| Numéro de produit de base | BSC0925 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC0925NDATMA1
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | BSC0925NDATMA1 | BSC0923NDIATMA1 | BSC0924NDIATMA1 | BSC0923NDI |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V | 10nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V | - |
| Package composant fournisseur | PG-TISON-8 | PG-TISON-8 | PG-TISON-8 | - |
| Fonction FET | - | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate, 4.5V Drive | - |
| Numéro de produit de base | BSC0925 | BSC0923 | BSC0924 | - |
| Puissance - Max | 2.5W | 1W | 1W | - |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | - |
| Configuration | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | - |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 15A | 17A, 32A | 17A, 32A | - |
| Séries | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | 30V | 30V | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1157pF @ 15V | 1160pF @ 15V | 1160pF @ 15V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V | 5mOhm @ 20A, 10V | 5mOhm @ 20A, 10V | - |
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BSC0921NDI MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC093N15NS5 E8196Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC093N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
BSC0925NDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC0924DNICypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC093N15NS5 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC0923NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
BSC093N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 87A TDSON
BSC0924NDIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
BSC093N04LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC093N15NSInfineon
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|---|---|---|
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| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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