- Jess***Jones
- 2026/04/17
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Part Number Guide.pdfSpécifications techniques BSC032N03S
Infineon Technologies - BSC032N03S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSC032N03S
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | PG-TDSON-8-1 | |
| Séries | OptiMOS™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5080 pF @ 15 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 5 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | RoHS non conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSC032N03S
| Attributs du produit | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | BSC032N03SG | BSC032N04LSATMA1 | BSC032NE2LSATMA1 | BSC030P03NS3GAUMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| type de FET | - | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Séries | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
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BSC032N03SGInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
BSC032NE2LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC031N06NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC034N03LSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC031N06NS3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC030P3NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
BSC032N04LS MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC031N06NS3GATMA1Infineon
BSC032N03S MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSC030P03NS3InfineonVotre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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