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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleATP213-TL-H
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ATP213-TL-H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ATP213-TL-H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ATP213-TL-H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
Description détaillée
Emballage
ATPAK (2 Leads+Tab)
Fiche technique
ATP213.pdf
En stock: 5320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ATP213-TL-H
onsemi - ATP213-TL-H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ATP213-TL-H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ATPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte ATPAK (2 Leads+Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Ta)  
Numéro de produit de base ATP213  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ATP213-TL-H

Attributs du produit ATP213-TL-H ATP301-TL-H ATP207-TL-H ATP212-S-TL-H
Modèle de produit ATP213-TL-H ATP301-TL-H ATP207-TL-H ATP212-S-TL-H
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 40 V -
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 70W (Tc) 50W (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 20 V 4000 pF @ 20 V 2710 pF @ 20 V -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V -
Package composant fournisseur ATPAK ATPAK ATPAK ATPAK
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 leads+tab)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Ta) 28A (Ta) 65A (Ta) 35A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 10V 75mOhm @ 14A, 10V 9.1mOhm @ 33A, 10V -
Numéro de produit de base ATP213 ATP301 ATP207 ATP212

Fiche technique ATP213-TL-H PDF

Téléchargez ATP213-TL-H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour ATP213-TL-H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
ATP213.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf Mult Devices 31/Jan/2019.pdf
Conception / spécification PCN
Lead Frame Material Update 09/Apr/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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