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- 2024/06/16
Assemblage / origine PCN
Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014.pdfFeuilles de données
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total partiel |
|---|---|---|
| 1+ | $1.567 | $1.57 |
| 200+ | $0.606 | $121.20 |
| 500+ | $0.585 | $292.50 |
| 800+ | $0.575 | $460.00 |
Spécifications techniques PSMN016-100BS,118
Nexperia USA Inc. - PSMN016-100BS,118 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN016-100BS,118
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Nexperia | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | D2PAK | |
| Séries | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 148W (Tc) | |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2404 pF @ 50 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | - | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 57A (Tj) | |
| Numéro de produit de base | PSMN016 |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| État RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN016-100BS,118
| Attributs du produit | ![]() |
![]() |
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|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | PSMN016-100YS,115 | PSMN016-100PS,127 | PSMN015-60BS,118 | PSMN016-100XS,127 |
| Fabricant | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP Semiconductors / Freescale |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Tension drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| La technologie | - | - | - | - |
| Emballer | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| type de FET | - | - | - | - |
| Package / Boîte | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - | - | - | - |
| Numéro de produit de base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Package composant fournisseur | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Fonction FET | - | - | - | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | - | - | - |
| Séries | - | - | - | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Type de montage | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
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PSMN016-100PS,127Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
PSMN015-60BSVBSEMI
PSMN015-110P,127Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
PSMN016-100YS,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
PSMN015-60PS,127Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
PSMN015-110PLUMILEDS
PSMN015-100YLXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56Votre adresse e-mail ne sera pas publiée.
| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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