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Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Package composant fournisseur | 8-SO | |
| Séries | FETKY™ | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V | |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) | |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs | |
|---|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V | |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| type de FET | N-Channel | |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Ta) |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de portée | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF
| Attributs du produit | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modèle de produit | IRF7353D2TRPBF | IRF7353D1TRPBF | IRF7353D2 | IRF7353D2PBF |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Séries | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ |
| Vgs (Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V | 32mOhm @ 5.8A, 10V | 29mOhm @ 5.8A, 10V | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| type de FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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IRF7353D2TRIR
IRF7353D2QTRPBFIR
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IRF7379 MOSIR
IRF7353TRIR
IRF7353D2TR MOSIR
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| Pays communs Référence du temps logistique | ||
|---|---|---|
| Région | Pays | Heure logistique (jour) |
| Amérique | États-Unis | 5 |
| Brésil | 7 | |
| L'Europe | Allemagne | 5 |
| Royaume-Uni | 4 | |
| Italie | 5 | |
| Océanie | Australie | 6 |
| Nouvelle-Zélande | 5 | |
| Asie | Inde | 4 |
| Japon | 4 | |
| Moyen-Orient | Israël | 6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
|---|---|
| Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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