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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7353D2TRPBF
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IRF7353D2TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7353D2TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7353D2TRPBF
garantie
Garantie de 1 an Allelco - En savoir plus
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Emballage
8-SO
Fiche technique
1.IRF7353D2TRPBF.pdf ...

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Notre certification
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Spécifications

Spécifications techniques IRF7353D2TRPBF
Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF

Attributs du produit IRF7353D2TRPBF IRF7353D1TRPBF IRF7353D2 IRF7353D2PBF
Modèle de produit IRF7353D2TRPBF IRF7353D1TRPBF IRF7353D2 IRF7353D2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Séries FETKY™ FETKY™ FETKY™ FETKY™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 32mOhm @ 5.8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 6.5A (Ta)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique IRF7353D2TRPBF PDF

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Commentaire des clients

Évaluation: 10 Articles

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    2024/06/27

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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